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STB33N60DM2

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  • STB33N60DM2
    STB33N60DM2

    STB33N60DM2

    现货
  • 上海航霆电子技术有限公司
    上海航霆电子技术有限公司

    联系人:林生18701789587

    电话:0755-8374259418701789587

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  • 1000

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  • 全新原厂原装正品,只做原装,可开增票

  • STB33N60DM2
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  • 甄芯网
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  • ST

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  • 全新原装进口

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  • 北京耐芯威科技有限公司
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    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

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  • 16+/17+

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  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STB33N60DM2
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  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 130000

  • ST/意法

  • NA

  • 23+

  • -
  • 18万条库存,一站式配齐

  • STB33N60DM2
    STB33N60DM2

    STB33N60DM2

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

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  • 8650000

  • ST

  • TO-263

  • 最新批号

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 24A
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? DM2
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 600V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 24A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 130 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 43nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 1870pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 190W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装
  • D2PAK
  • 标准包装
  • 1
STB33N60DM2 技术参数
  • STB32NM50N 功能描述:MOSFET N CH 500V 22A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):62.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1973pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 STB32N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):119 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3320pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB31N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):148 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1865pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB30NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 12.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2800pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB30NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 12.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):91nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2700pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB36NF06LT4 STB36NM60N STB36NM60ND STB37N60DM2AG STB38N65M5 STB3N62K3 STB3NK60ZT4 STB40100CTR STB4045CTR STB4080CTR STB40N20 STB40N60M2 STB40NF10LT4 STB40NF10T4 STB40NF20 STB40NS15T4 STB42N60M2-EP STB42N65M5
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