配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STB36N60M6
现货
上海航霆电子技术有限公司
上海航霆电子技术有限公司
联系人：林生18701789587
电话：0755-8374259418701789587
地址：上海徐汇区漕溪路222号航天大厦16层
10000
STM
SOP
19+
-
全新原厂原装正品，只做原装，可开增票

STB36N60M6
现货
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
5000
ST
N/A
22
-
瑞智芯只有原装

STB36N60M6
深圳市鹏展胜电子有限公司
深圳市鹏展胜电子有限公司
联系人：林先生
电话：0755-8276920313538142003
地址：深圳市福田区华强北街道佳和大厦A座2801
资质：营业执照
6000
ST/意法半导体
D2PAK-3
21+
-
原装正品，假一赔十！

STB36N60M6
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
65203
ST
TO-263-3
2020+
-
★★★真实库存，假一赔十，原厂授权★★★

STB36N60M6
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
ST
TO-263-3
22+
-
十年配单，只做原装

STB36N60M6
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
23000
ST/意法
NA
19+
-

STB36N60M6
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
STMICROELECTRONICS
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

STB36N60M6
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
STMICROELECTRONICS
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

STB36N60M6
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
D2PAK/TO-263
2024+
-
国产品牌，可替代原装

STB36N60M6
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
5443
STMicroelectronics
SMD
22+
-
授权分销商，可追溯原厂可含税

STB36N60M6
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-83795896
地址：深圳市福田区华强北街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
68000
STMICROELECTRONICS
N/A最新
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

STB36N60M6
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
5
STMICROELECTRONICS
C02-集成电路（IC）
-

STB36N60M6
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ST
TO263
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STB36N60M6
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
STM
TO-263-3 (D2PAK)
19+
-
原装现货，假一赔百,支持实单

STB36N60M6
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
10000
STM
TO-263-3 (D2PAK)
19+
-
只做原装，型号齐全，价格优惠。

STB36N60M6
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
STMicroelectronics
原厂封装
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

STB36N60M6
深圳市盛芯世纪科技有限公司
深圳市盛芯世纪科技有限公司
联系人：杨先生，www.dz-ic.cn
电话：0755-8397991513312996395
地址：深圳市福田区中航路都会100大厦B座6F
资质：营业执照
5
STMICROELECTRONICS
STMICROELECTRONICS
21+
-
原装正品www.dz-ic.cn

STB36N60M6
深圳市诚达吉电子有限公司
深圳市诚达吉电子有限公司
联系人：莫小姐
电话：15013829553
地址：广东深圳
资质：营业执照
2000
SMD
22+
-
全部原装现货

STB36N60M6
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：朱先生
电话：13168731828
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋五楼515
资质：营业执照
5000
ST/意法
原厂封装
21+
-
全新进口原装

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您是不是要找： STB36NF06LT4 STB36NM60N STB36NM60ND STB37N60DM2AG STB38N65M5 STB3N62K3 STB3NK60ZT4 STB40100CTR STB4045CTR

STB36N60M6 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STB36N60M6 技术参数

STB35NF10T4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1550pF @ 25V 功率 - 最大值:115W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB35N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:83nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3750pF @ 100V 功率 - 最大值:160W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB35N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2400pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB34NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:29A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2785pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB34NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:29A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2722pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB4080CTR STB40N20 STB40N60M2 STB40NF10LT4 STB40NF10T4 STB40NF20 STB40NS15T4 STB42N60M2-EP STB42N65M5 STB43N60DM2 STB43N65M5 STB45N40DM2AG STB45N50DM2AG STB45N60DM2AG STB45N65M5 STB45NF06 STB45NF06T4 STB46N30M5