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STF10N60DM2

配单专家企业名单
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  • STF10N60DM2
    STF10N60DM2

    STF10N60DM2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STF10N60DM2
    STF10N60DM2

    STF10N60DM2

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 569888

  • ST意法

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 原装正品现货,支持BOM配单!

  • STF10N60DM2
    STF10N60DM2

    STF10N60DM2

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:汪小姐

    电话:19240207240

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 25000

  • ST/意法

  • TO-220F

  • 24+

  • -
  • 优势供应 品质保障 可开13点发票

  • STF10N60DM2
    STF10N60DM2

    STF10N60DM2

  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人:胡庆伟

    电话:13138879988

    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 100

  • STM

  • ORIGONAL

  • 16+

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  • 功能描述
  • N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh??
  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 600V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 8A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 530 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 15nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 529pF @ 100V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • *
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装
  • TO-220FP
  • 标准包装
  • 2,000
STF10N60DM2 技术参数
  • STF10N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1050V(1.05kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 欧姆 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):545pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF10LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):630 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):427pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF1060 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):650mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:850μA @ 60V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 绝缘,TO-220AC 供应商器件封装:ITO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 STF1045C 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):580mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 45V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 隔离片 供应商器件封装:ITO-220AB 标准包装:50 STF10150 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 150V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 绝缘,TO-220AC 供应商器件封装:ITO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 STF10NM65N STF10P6F6 STF110N10F7 STF11N50M2 STF11N52K3 STF11N60DM2 STF11N60M2-EP STF11N65K3 STF11N65M2 STF11N65M5 STF11NM50N STF11NM60N STF11NM60ND STF11NM65N STF11NM80 STF120NF10 STF12100 STF12N120K5
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