STF13N60DM2全国供应商 STF13N60DM2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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STF13N60DM2
现货
甄芯网
甄芯网
联系人：柯
电话：0755-836658130755-83465652
地址：深南中路佳和大厦B座907
1000
ST
TO-220FP
2209/2220+
-
全新原装进口

STF13N60DM2
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
TO-220
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STF13N60DM2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STF13N60DM2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
62504
ST/意法
NA
22+
-
18万条库存，一站式配齐

STF13N60DM2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ST
TO-220FP
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STF13N60DM2
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
32900
ST/意法
NA
24+
-
优势供应品质保障可开13点发票

STF13N60DM2
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
100
STM
ORIGONAL
16+
-
1.11274 USD,szpoweri...

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功能描述
N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP.,
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh??
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
365 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
730pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
*
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220FP
标准包装
1,000

STF13N60DM2 技术参数

STF130N10F3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:46A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.6 毫欧 @ 23A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3305pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF12NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:410 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:960pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF12NM50ND 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:850pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF12NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:940pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF12NK65Z 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:62.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1837pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF140N6F7 STF140N8F7 STF14N80K5 STF14NM50N STF14NM65N STF150N10F7 STF15100 STF15100C STF15150 STF15200 STF1545C STF1560 STF15N60M2-EP STF15N65M5 STF15N80K5 STF15N95K5 STF15NM60N STF15NM60ND