STF1545C

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STF1545C 技术参数

STF15200 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200V ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:160μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 绝缘，TO-220AC 供应商器件封装:ITO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 STF15150 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.36V @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 绝缘，TO-220AC 供应商器件封装:ITO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 STF15100 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:686pF @ 5V， 1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 绝缘，TO-220AC 供应商器件封装:ITO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 STF150N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 65A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 毫欧 @ 55A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:117nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8115pF @ 50V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF14NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF16N50U STF16N60M2 STF16N60M6 STF16N65M2 STF16N65M5 STF16NF25 STF16NK60Z STF16NM50N STF17N62K3 STF17N80K5 STF17NF25 STF18N55M5 STF18N60DM2 STF18N60M2 STF18N65M2 STF18N65M5 STF18NM60N STF18NM60ND