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STF2000-27Y

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  • STF2000-27Y
    STF2000-27Y

    STF2000-27Y

  • 北京杰创宏达电子有限公司
    北京杰创宏达电子有限公司

    联系人:沈小姐/伊小姐

    电话:010-61190909

    地址:北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室

    资质:营业执照

  • 100

  • Sola/Hevi-Duty

  • 13+

  • 24+

  • -
  • 授权代理商

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
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  • 功能描述
  • 电源线滤波器 Phase WYE 200.0A 277/480V
  • RoHS
  • 制造商
  • EPCOS
  • 电压额定值
  • 277 VAC
  • 电流额定值
  • 100 A
  • 安装风格
  • Chassis
  • 端接类型
  • Screw
STF2000-27Y 技术参数
  • STF19NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF19NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):800pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF18NM80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):295 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):70nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2070pF @ 50V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF18NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 6.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1030pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF18NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):285 毫欧 @ 6.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF203-15.TCT STF203-22.TCT STF203-33.TCT STF2045C STF2050C STF2060C STF2060CR STF20N20 STF20N60M2-EP STF20N65M5 STF20N90K5 STF20N95K5 STF20NF06 STF20NF06L STF20NF20 STF20NK50Z STF20NM60D STF20NM65N
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