STF4N90K5

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STF4N90K5
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220F
25+
-
国产品牌，替代进口

STF4N90K5
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

STF4N90K5
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

STF4N90K5
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6005
ST/意法半导体
TO-220-3
22+
-
原装正品现货可开增值税发票

1/1页 40条/页共4条
1

您是不是要找： STF4NK50ZD STF57N65M5 STF5N105K5 STF5N52K3 STF5N52U STF5N60M2 STF5N62K3 STF5N80K5 STF5N95K3

STF4N90K5 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STF4N90K5 PDF下载

功能描述
N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? K5
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
5.3nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
173pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
2.1 欧姆 @ 1A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3
标准包装
50

STF4N90K5 技术参数

STF4N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:175pF @ 100V 功率 - 最大值:20W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF4N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:620V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:550pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF4N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:525V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:334pF @ 100V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF4LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:3.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:122pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 欧姆 @ 1A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 封装/外壳:TO-220-3 整包标准包装:1,000 STF45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 19.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3375pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF5N95K5 STF5NK100Z STF5NK52ZD STF60100C STF60N55F3 STF6N52K3 STF6N60M2 STF6N62K3 STF6N65K3 STF6N65M2 STF6N68K3 STF6N80K5 STF6N90K5 STF6N95K5 STF6NK70Z STF6NM60N STF701.TCT STF715