STF8N90K5

配单专家企业名单

型号
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封装
批号
价格
说明
操作

STF8N90K5
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
357193
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STF8N90K5
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
357193
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STF8N90K5
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
357193
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

STF8N90K5
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6008
ST/意法半导体
TO-220FP-3
21+
-
原装正品现货可开增值税发票

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1

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功能描述
N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP.,
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? K5
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100μA
Vgs（最大值）
±30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
130W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
50

STF8N90K5 技术参数

STF8N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:950 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:450pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF8N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:690pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF826 功能描述:TRANS PNP 30V 3A SOT-89 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.1V @ 150mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.4W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 STF817A 功能描述:TRANS PNP 80V 1.5A SOT89 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.4W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 STF80N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3100pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF9NK60ZD STF9NK80Z STF9NK90Z STF9NM50N STF9NM60N STFH10N60M2 STFH13N60M2 STFH18N60M2 STFH24N60M2 STFI10LN80K5 STFI10N62K3 STFI10N65K3 STFI10NK60Z STFI11N60M2-EP STFI11N65M2 STFI11NM65N STFI12N60M2 STFI130N10F3