STF9N80K5

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说明
操作

STF9N80K5
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
13740
ST
TO-220F(TO-220IS)
24+
-
全新原装正品现货特价

STF9N80K5
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STF9N80K5
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6000
ST/意法半导体
TO-220FP-3
22+
-
原装正品现货可开增值税发票

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 800V 7A TO-220FP
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh??
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
900 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
340pF @ 100V
功率 - 最大值
25W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220FP
标准包装
50

STF9N80K5 技术参数

STF9N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:315pF @ 100V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF9N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:780 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:320pF @ 100V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF9HN65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:820 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:325pF @ 100V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF8NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:560pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF8NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:364pF @ 50V 功率 - 最大值:20W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STFI10LN80K5 STFI10N62K3 STFI10N65K3 STFI10NK60Z STFI11N60M2-EP STFI11N65M2 STFI11NM65N STFI12N60M2 STFI130N10F3 STFI13N60M2 STFI13N65M2 STFI13N80K5 STFI13N95K3 STFI13NK60Z STFI13NM60N STFI14N80K5 STFI15N60M2-EP STFI15N65M5