STFH13N60M2

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STFH13N60M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STFH13N60M2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6003
ST/意法半导体
TO-220FP-3
21+
-
原装正品现货可开增值税发票

STFH13N60M2
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
118
ST MICROELECTRONICS
价格优势
1628
-
全新原装渠道现货

1/1页 40条/页共9条
1

您是不是要找： STFH18N60M2 STFH24N60M2 STFI10LN80K5 STFI10N62K3 STFI10N65K3 STFI10NK60Z STFI11N60M2-EP STFI11N65M2 STFI11NM65N

STFH13N60M2 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STFH13N60M2 PDF下载

功能描述
N-CHANNEL 600 V, 0.35 OHM TYP.,
制造商
stmicroelectronics
系列
*
零件状态
新产品
标准包装
46

STFH13N60M2 技术参数

STFH10N60M2 功能描述:MOSFET NCH 600V 7.5A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:新产品 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:46 STF9NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:745 毫欧 @ 3.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:452pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF9NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:560 毫欧 @ 3.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:570pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:1,000 STF9NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 3.75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:1,000 STF9NK60ZD 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperFREDmesh? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1110pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STFI12N60M2 STFI130N10F3 STFI13N60M2 STFI13N65M2 STFI13N80K5 STFI13N95K3 STFI13NK60Z STFI13NM60N STFI14N80K5 STFI15N60M2-EP STFI15N65M5 STFI15N95K5 STFI15NM65N STFI20N65M5 STFI20NK50Z STFI20NM65N STFI24N60M2 STFI24NM60N