STFI15N60M2-EP

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STFI15N60M2-EP
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
569888
ST意法
N/A
22+
-
原装正品现货，支持BOM配单！

STFI15N60M2-EP
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STFI15N60M2-EP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
7500
STMICROEL
管件
1521+
-
全新原装现货

STFI15N60M2-EP
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
100
STM
ORIGONAL
16+
-
1.03014 USD,szpoweri...

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? M2
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
378 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
590pF @ 100V
功率 - 最大值
25W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3 整包，I2Pak
供应商器件封装
I2PAKFP（TO-281）
标准包装
50

STFI15N60M2-EP 技术参数

STFI13NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:790pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI13NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2030pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI13N95K3 功能描述:MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:850 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:51nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1620pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI13N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A I2PAK-FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:870pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI13N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:590pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI26N60M2 STFI26NM60N STFI28N60M2 STFI31N65M5 STFI34N65M5 STFI34NM60N STFI40N60M2 STFI4N62K3 STFI5N95K3 STFI6N62K3 STFI6N65K3 STFI6N80K5 STFI7LN80K5 STFI7N80K5 STFI8N80K5 STFI9N60M2 STFI9N80K5 STFILED524