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STFI15N60M2-EP

配单专家企业名单
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  • STFI15N60M2-EP
    STFI15N60M2-EP

    STFI15N60M2-EP

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 569888

  • ST意法

  • N/A

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  • 原装正品现货,支持BOM配单!

  • STFI15N60M2-EP
    STFI15N60M2-EP

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STFI15N60M2-EP
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 7500

  • STMICROEL

  • 管件

  • 1521+

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  • 全新原装现货

  • STFI15N60M2-EP
    STFI15N60M2-EP

    STFI15N60M2-EP

  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人:胡庆伟

    电话:13138879988

    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? M2
  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 600V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 11A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 378 毫欧 @ 5.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 17nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 590pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 25W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-262-3 整包,I2Pak
  • 供应商器件封装
  • I2PAKFP(TO-281)
  • 标准包装
  • 50
STFI15N60M2-EP 技术参数
  • STFI13NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):360 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):790pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包,I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP(TO-281) 标准包装:50 STFI13NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):92nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2030pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包,I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP(TO-281) 标准包装:50 STFI13N95K3 功能描述:MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):950V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):51nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1620pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包,I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP(TO-281) 标准包装:50 STFI13N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A I2PAK-FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):870pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包,I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP(TO-281) 标准包装:50 STFI13N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):430 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):590pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包,I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP(TO-281) 标准包装:50 STFI26N60M2 STFI26NM60N STFI28N60M2 STFI31N65M5 STFI34N65M5 STFI34NM60N STFI40N60M2 STFI4N62K3 STFI5N95K3 STFI6N62K3 STFI6N65K3 STFI6N80K5 STFI7LN80K5 STFI7N80K5 STFI8N80K5 STFI9N60M2 STFI9N80K5 STFILED524
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