STFU13N65M2全国供应商 STFU13N65M2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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STFU13N65M2
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
1000
ST
TO-220F
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STFU13N65M2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

STFU13N65M2
广东济德精密电子有限公司
广东济德精密电子有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼
502
STMICROELECTRONICS
con
25+
-
查现货就到京北通宇商城

STFU13N65M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STFU13N65M2
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

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功能描述
MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? M2
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
430 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
590pF @ 100V
功率 - 最大值
25W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220FP
标准包装
50

STFU13N65M2 技术参数

STFPC320BTR 功能描述:MOSFET Fully integrated GPS LNA IC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube STFPC311BTR 功能描述:VFD驱动器 Fully integrated GPS LNA IC RoHS:否制造商:Maxim Integrated 工作电源电压:8 V to 76 V, 3 V to 5.5 V 电源电流:0.9 mA, 700 uA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOIC-20 封装:Tube STFPC311 功能描述:MOSFET Advanced Logic RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube STFN42 功能描述:TRANS NPN 400V 1A SOT-89 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 400mA，5V 功率 - 最大值:1.4W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 STFILED625 功能描述:MOSFET N-CH 620V I2PAK-FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:620V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:560pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFV4N150 STFW12N120K5 STFW1N105K3 STFW20N65M5 STFW24N60M2 STFW2N105K5 STFW38N65M5 STFW3N150 STFW3N170 STFW40N60M2 STFW42N60M2-EP STFW45N65M5 STFW4N150 STFW60N65M5 STFW69N65M5 STFW6N120K3 STG009M5CN STG009M6SN

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