STGB20M65DF2全国供应商 STGB20M65DF2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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STGB20M65DF2
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
13740
ST
D2PAK
24+
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全新原装正品现货特价

STGB20M65DF2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
355696
STMICROELECTRONICS
con
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优势库存，原装正品

STGB20M65DF2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王光伟
电话：15953799870
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
355696
STMICROELECTRONICS
con
24+
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STGB20M65DF2
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：王光伟
电话：15953799870
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
355696
STMICROELECTRONICS
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STGB20M65DF2
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
355696
STMICROELECTRONICS
con
24+
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现货常备京北通宇商城可查价格

STGB20M65DF2
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
355696
STMICROELECTRONICS
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优势库存，原装正品

STGB20M65DF2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ST
TO-263
最新批号
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一级代理.原装特价现货！

STGB20M65DF2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6000
ST/意法半导体
D2PAK-3
21+
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原装正品现货可开增值税发票

STGB20M65DF2IC
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
20000
ST/意法
TO-263
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优势供应品质保障可开13点发票

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STGB20M65DF2 技术参数

STGB20H60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 开关能量:209μJ（开），261μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:115nC 25°C 时 Td（开/关）值:42.5ns/177ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:90ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB19NC60WT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):- 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，12A 功率 - 最大值:130W 开关能量:81μJ（开），125μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB19NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.75V @ 15V，12A 功率 - 最大值:125W 开关能量:165μJ（开），255μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 测试条件:480V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB19NC60KDT4 功能描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.75V @ 15V，12A 功率 - 最大值:125W 开关能量:165μJ（开），255μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns 测试条件:480V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:31ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB19NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，12A 功率 - 最大值:130W 开关能量:85μJ（开），189μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:53nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/97ns 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:31ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB20V60F STGB25N40LZAG STGB30H60DF STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4 STGB3HF60HD STGB3NB60FDT4 STGB3NB60KDT4 STGB3NB60SDT4 STGB3NC120HDT4 STGB40H65FB

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