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STGP10N60L

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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全称
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 10A - 600V TO-220 LOGIC LEVEL IGBT
STGP10N60L 技术参数
  • STGP10M65DF2 功能描述:IGBT 650V 10A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,10A 功率 - 最大值:115W 开关能量:120μJ(开),270μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:28nC 25°C 时 Td(开/关)值:19ns/91ns 测试条件:400V,10A,22 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):96ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STGP10H60DF 功能描述:IGBT 600V 20A 115W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.95V @ 15V,10A 功率 - 最大值:115W 开关能量:83μJ(开),140μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:57nC 25°C 时 Td(开/关)值:19.5ns/103ns 测试条件:400V,10A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):107ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STGP100N30 功能描述:IGBT 330V 90A 250W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件 零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):330V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):90A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):- 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,50A 功率 - 最大值:250W 开关能量:- 输入类型:标准 栅极电荷:- 25°C 时 Td(开/关)值:-/134ns 测试条件:180V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STGIPS40W60L1 功能描述:MODULE IPM SLLIMM SDIP-22L 制造商:stmicroelectronics 系列:SLLIMM?? 零件状态:有效 类型:IGBT 配置:单相 电流:40A 电压:600V 电压 - 隔离:2500Vrms 封装/外壳:22-DIP 模块 标准包装:11 STGIPS35K60L1 功能描述:MODULE IPM SLLIMM SDIP-22L 制造商:stmicroelectronics 系列:SLLIMM?? 零件状态:过期 类型:IGBT 配置:单相 电流:35A 电压:600V 电压 - 隔离:2500Vrms 封装/外壳:22-DIP 模块 标准包装:11 STGP12NB60HD STGP12NB60K STGP12NB60KD STGP14N60D STGP14NC60KD STGP15H60DF STGP15M65DF2 STGP18N40LZ STGP19NC60H STGP19NC60HD STGP19NC60KD STGP19NC60S STGP19NC60SD STGP19NC60W STGP19NC60WD STGP20H60DF STGP20M65DF2 STGP20NC60V
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