STGP3NB60KD全国供应商 STGP3NB60KD资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STGP3NB60KD
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
原厂原装
15+
-
原装正品，假一罚十

STGP3NB60KD
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
TO-220;TO-220FP
05+
-
假一罚十，百分百原装正品

STGP3NB60KD
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
TO-220AB
18+
-
IGBT 600V 10A 50W T...

STGP3NB60KD
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
STMicroelectronics
TO-220AB
17+
-
全新原装现货

STGP3NB60KD
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
ST
TO-220
22+
-
十年配单，只做原装

STGP3NB60KD
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
TO-220
2024+
-
国产品牌，可替代原装

STGP3NB60KD
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
TO-220AB
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

STGP3NB60KD
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
20835
ST/意法
TO220ABNONISOL
22+
-

STGP3NB60KD
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
ST
TO-220
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STGP3NB60KD
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
STMicroelectronics
管件
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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功能描述
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 6 Amp
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作温度
封装 / 箱体
TO-247
封装
Tube

STGP3NB60KD 技术参数

STGP3NB60FD 功能描述:IGBT 600V 6A 68W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，3A 功率 - 最大值:68W 开关能量:125μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:12.5ns/105ns 测试条件:480V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:45ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STGP3NB60F 功能描述:IGBT 600V 6A 68W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，3A 功率 - 最大值:68W 开关能量:125μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:12.5ns/105ns 测试条件:480V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:45ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STGP35N35LZ 功能描述:IGBT 345V 40A 176W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:345V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.7V @ 4.5V，15A 功率 - 最大值:176W 开关能量:- 输入类型:逻辑栅极电荷:49nC 25°C 时 Td（开/关）值:1.1μs/26.5μs 测试条件:300V，15A，5V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 STGP35HF60W 功能描述:IGBT 600V 60A 200W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:200W 开关能量:290μJ（开），185μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STGP30V60F 功能描述:IGBT 600V 60A 260W TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 开关能量:383μJ（开），233μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:163nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STGP7NB60KD STGP7NC60H STGP7NC60HD STGP8NC60K STGP8NC60KD STGPL6NC60D STGPL6NC60DI ST-GTC-16P1-100-(A572) ST-GTC-16P1-3500 ST-GTC-16P2-3500 ST-GTC-16P3-3500 ST-GTC-16S1-100-(A572) ST-GTC-16S1-3500 ST-GTC-16S2-100-(A572) ST-GTC-16S2-3500 STGW10M65DF2 STGW15H120DF2 STGW15H120F2

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