STGP7NB60HDFP

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STGP7NB60HDFP
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
原厂原装
15+
-
原装正品，假一罚十

STGP7NB60HDFP
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
TO-220FP
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

STGP7NB60HDFP
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖女士
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
ST
TO-220F
10+
-
原装现货优势库存

STGP7NB60HDFP
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
进口原装
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

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1

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT

STGP7NB60HDFP 技术参数

STGP7H60DF 功能描述:IGBT 600V 14A 88W TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):28A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.95V @ 15V，7A 功率 - 最大值:88W 开关能量:99μJ（开），100μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/160ns 测试条件:400V，7A，47 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:136ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STGP6NC60HD 功能描述:IGBT 600V 15A 56W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 开关能量:20μJ（开），68μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 测试条件:390V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:21ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STGP6M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Through Hole TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包装:管件零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，6A 功率 - 最大值:88W 开关能量:40μJ（开），136μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 测试条件:400V，6A，22 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:140ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:2,000 STGP5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:88W 开关能量:56μJ（开），78.5μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:134.5ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STGP4M65DF2 功能描述:IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS 制造商:stmicroelectronics 系列:M 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 开关能量:40μJ（开），136μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 测试条件:400V，4A，47 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:133ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 ST-GTC-16P2-3500 ST-GTC-16P3-3500 ST-GTC-16S1-100-(A572) ST-GTC-16S1-3500 ST-GTC-16S2-100-(A572) ST-GTC-16S2-3500 STGW10M65DF2 STGW15H120DF2 STGW15H120F2 STGW15M120DF3 STGW15S120DF3 STGW19NC60H STGW19NC60HD STGW19NC60W STGW19NC60WD STGW20H60DF STGW20H65FB STGW20IH125DF