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STGWA8M120DF3

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  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • TO-247 long leads

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • STGWA8M120DF3
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-247longleads

  • 最新批号

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  • STGWA8M120DF3
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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 2400

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STGWA8M120DF3 技术参数
  • STGWA80H65FB 功能描述:IGBT 650V 120A 469W TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):120A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,80A 功率 - 最大值:469W 开关能量:2.1mJ(开),1.5mJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:414nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/280ns 测试条件:400V,80A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 长引线 标准包装:30 STGWA80H65DFB 功能描述:IGBT BIPO 650V 80A TO247-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):120A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,80A 功率 - 最大值:469W 开关能量:2.1mJ(开),1.5mJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:414nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/280ns 测试条件:400V,80A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):85ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 长引线 标准包装:30 STGWA75M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 120A 468W Through Hole TO-247 Long Leads 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包装:管件 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):120A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):225A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,75A 功率 - 最大值:468W 开关能量:690μJ(开),2.54mJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:47ns/125ns 测试条件:400V,75A,3.3 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):165ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 长引线 标准包装:600 STGWA60NC60WDR 功能描述:IGBT 600V 130A 340W TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):130A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):250A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.6V @ 15V,40A 功率 - 最大值:340W 开关能量:743μJ(开),560μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:195nC 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/240ns 测试条件:390V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):42ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 长引线 标准包装:30 STGWA60H65DFB 功能描述:IGBT BIPO 650V 60A TO247-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,60A 功率 - 最大值:375W 开关能量:1.59mJ(开),900μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td(开/关)值:66ns/210ns 测试条件:400V,60A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):60ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 长引线 标准包装:30 STGWT28IH125DF STGWT30H60DFB STGWT30H65FB STGWT30HP65FB STGWT30V60DF STGWT30V60F STGWT38IH130D STGWT40H60DLFB STGWT40H65DFB STGWT40H65FB STGWT40HP65FB STGWT40V60DF STGWT40V60DLF STGWT60H60DLFB STGWT60H65DFB STGWT60H65FB STGWT60V60DF STGWT60V60DLF
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