您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > S字母型号搜索 > S字母第6072页 >

STH13009

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STH13009
    STH13009

    STH13009

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • ST

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • STH13009
    STH13009

    STH13009

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 18530

  • STMICROELECTRONICS

  • TO 220..

  • 22+

  • -
  • 全新原装正品现货

  • STH13009
    STH13009

    STH13009

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 250

  • ST

  • TO220

  • 08+

  • -
  • 全新原装现货

  • STH13009
    STH13009

    STH13009

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3526

  • ST

  • TO-220AB

  • 14+

  • -
  • 原装正品,现货库存,400-800-03...

  • STH13009
    STH13009

    STH13009

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • ST

  • TO220

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号.原装特价现货!

  • STH13009
    STH13009

    STH13009

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质:营业执照

  • 15045

  • ST/意法

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • STH13009
    STH13009

    STH13009

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • TO 220 AB NON ISOL

  • ST

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • 1/1页 40条/页 共19条 
  • 1
STH13009 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT HI VT FS SWCH PW TRN NPN
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
STH13009 技术参数
  • STH12N120K5-2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):690 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):44.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH110N10F7-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):110A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 55A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5117pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH110N10F7-2 功能描述:MOSFET N CH 100V 110A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):110A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 55A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5117pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STGYA120M65DF2 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 650V 160A 625W Through Hole MAX247? 制造商:stmicroelectronics 系列:* 包装:管件 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT,沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):160A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):360A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.95V @ 15V,120A 功率 - 最大值:625W 开关能量:1.8mJ(开),4.41mJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:66ns/185ns 测试条件:400V,120A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):202ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 裸露焊盘 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:600 STGY80H65DFB 功能描述:IGBT 650V 120A 469W MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):120A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,80A 功率 - 最大值:469W 开关能量:2.1mJ(开),1.5mJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:414nC 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/280ns 测试条件:400V,80A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):85ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STH160N4LF6-2 STH170N8F7-2 STH175N4F6-2AG STH175N4F6-6AG STH-18 STH180N10F3-2 STH180N10F3-6 STH180N4F6-2 STH185N10F3-2 STH185N10F3-6 STH-19 STH2 STH-20 STH210N75F6-2 STH-22 STH240N10F7-2 STH240N10F7-6 STH240N75F3-2
配单专家

在采购STH13009进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买STH13009产品风险,建议您在购买STH13009相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的STH13009信息由会员自行提供,STH13009内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号