STH-18

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说明
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STH-18
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Keystone Electronics
标准封装
16+
-
假一罚十，原装正品

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1

您是不是要找： STH180N10F3-2 STH180N10F3-6 STH180N4F6-2 STH185N10F3-2 STH185N10F3-6 STH-19 STH2 STH-20 STH210N75F6-2

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功能描述
KIT CONTAINING ALUMINUM STANDOFF
制造商
keystone electronics
系列
*
零件状态
有效
标准包装
1

STH-18 技术参数

STH175N4F6-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7735pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH175N4F6-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7735pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH170N8F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8710pF @ 40V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH160N4LF6-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.2 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:181nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8130pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH15NB50FI 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:360 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3400pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:ISOWATT-218-3 供应商器件封装:ISOWATT-218 标准包装:30 STH-22 STH240N10F7-2 STH240N10F7-6 STH240N75F3-2 STH240N75F3-6 STH245N75F3-6 STH250N55F3-6 STH250N6F3-6 STH260N6F6-2 STH260N6F6-6 STH265N6F6-2AG STH265N6F6-6AG STH270N4F3-2 STH270N4F3-6 STH270N8F7-2 STH270N8F7-6 STH272N6F7-6AG STH275N8F7-2AG