STL3N65M2

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STL3N65M2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6004
ST/意法半导体
3.3x3.3-HV-8
21+
-
原装正品现货可开增值税发票

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STL3N65M2 技术参数

STL3N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:408pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-PowerWDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（2x2）标准包装:1 STL38N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta），22.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:105 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3000pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?（8x8） HV 标准包装:1 STL36N55M5 功能描述:MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:550V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 16.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2670pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?（8x8） HV 标准包装:1 STL36DN6F7 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:420pF @ 30V 功率 - 最大值:58W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL35N6F3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 44A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL42P4LLF6 STL42P6LLF6 STL-450-3-01 STL-450-3-19 STL-450-8-01 STL45N65M5 STL45P3LLH6 STL4LN80K5 STL4N10F7 STL4N80K5 STL4P2UH7 STL4P3LLH6 STL50DN6F7 STL50N6F7 STL50NH3LL STL51N3LLH5 STL52N25M5 STL55NH3LL