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STP23N80K5
参数信息:

功能描述:MOSFET N-CH 800V 16A

制造商:stmicroelectronics

系列:MDmesh? K5

包装:管件

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):800V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):280 毫欧 @ 8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 100V

功率 - 最大值:190W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220-3

标准包装:50

STP23N80K5技术参数

STP22NS25Z 功能描述:MOSFET N-CH 250V 22A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):151nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2400pF @ 25V 功率 - 最大值:135W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP22NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):220 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1300pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP22NF03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 22A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):330pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP220N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6400pF @ 25V 功率 - 最大值:237W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP21NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):220 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1800pF @ 50V 功率 - 最大值:140W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP24NM60N STP24NM65N STP25N10F7 STP25N60M2-EP STP25N80K5 STP25NM50N STP25NM60N STP25NM60ND STP260N4F7 STP260N6F6 STP265N6F6AG STP26N60M2 STP26NM60N STP26NM60ND STP270N04 STP270N4F3 STP270N8F7 STP27N3LH5

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