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STP78NF55-08

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  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:雷小姐

    电话:0755-2391507123915070(承诺只售原装正品,终端BOM配单一站式服务)

    地址:华强街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 65000

  • ST

  • TO-220

  • 16+

  • -
  • ★★★真实库存,假一赔十,原厂授权★★★

  • STP78NF55-08
    STP78NF55-08

    STP78NF55-08

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:张先生/雷小姐

    电话:0755-8279802015814679726(承诺只售原装正品,终端BOM配单一站式服务)

    地址:华强街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 15000

  • ST/意法

  • TO-220

  • 21+原厂授权

  • -
  • ★原厂授权★价超代理★

  • STP78NF55-08
    STP78NF55-08

    STP78NF55-08

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:廖R

    电话:13163738578

    地址:龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707

  • 3188

  • ST/意法

  • TO-220

  • 16+

  • -
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STP78NF55-08 技术参数
  • STP78N75F4 功能描述:MOSFET N-CH 75V 78A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):78A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 39A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):76nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5015pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP77N6F6 功能描述:MOSFET N CH 60V 77A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):77A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 38.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):76nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5300pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP76NF75 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3700pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP75NS04Z 功能描述:MOSFET N-CH 33V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? III 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):33V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1860pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP75NF75FP 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3700pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP7NB60 STP7NK30Z STP7NK40Z STP7NK40ZFP STP7NK80Z STP7NK80ZFP STP7NM50N STP7NM60N STP7NM80 STP80N10F7 STP80N20M5 STP80N6F6 STP80N70F6 STP80NE03L-06 STP80NE06-10 STP80NF03L STP80NF03L-04 STP80NF06
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