STS-2000-0.068

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STS-2000-0.068 技术参数

STS2 功能描述:TOOL CABLE TIE 制造商:panduit corp 系列:- 零件状态:有效类型:焊枪特性:人体工学扭断配套使用产品/相关产品:小型，中型和标准扎带；0.100" ~ 0.190" （2.54mm ~ 4.83mm）宽标准包装:1 STS1TXQTR 功能描述:RF Transmitter ASK, FSK, GFSK, MSK, OOK 169MHz, 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz 16dBm 500kbps PCB, Surface Mount Antenna 20-VQFN Exposed Pad 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效频率:169MHz，315MHz，433MHz，868MHz，915MHz 应用:住宅/楼宇自动化，工业控制和监控调制或协议:ASK，FSK，GFSK，MSK，OOK 数据速率（最大值）:500kbps 功率 - 输出:16dBm 电流 - 传输:21mA 数据接口:PCB，表面贴装天线连接器:PCB，表面贴装存储容量:- 特性:- 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-VQFN 裸露焊盘标准包装:1 STS1NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:250mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 欧姆 @ 400mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:94pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS1HNK60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:156pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS1DNC45 功能描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:450V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS240PC STS250PC STS25NH3LL STS25NH3LL-E STS260PC STS26N3LLH6 STS2DNF30L STS2DPF80 STS2DPFS20V STS-30-DIS STS30N3LLH6 STS-31-DIS STS3C2F100 STS3DNE60L STS3DPF60L STS3P6F6 STS4C3F60L STS4DNF30L