STS30N3LLH6全国供应商 STS30N3LLH6资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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价格
说明
操作

STS30N3LLH6
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：张育豪 13360528695
电话：0755-23607487
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
资质：营业执照
16537
ST/意法
SOP-8
22+
-
原厂原装现货

STS30N3LLH6
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
8-SO
18+
-
MOSFET N-CH 30V 30A ...

STS30N3LLH6
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
500
ST
SOP8
10+pb
-
全新原装现货

STS30N3LLH6
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
8-SO
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

STS30N3LLH6?
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18260
ST
SOP8
22+
-
全新原装正品现货特价

STS30N3LLH6
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
STMicroelectronics
8-SO
17+
-
全新原装现货

STS30N3LLH6
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
50000
ST
SOIC-8
21+
-
原装正品现货，支持BOM配单！

STS30N3LLH6
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ST
SOP8
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

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功能描述
MOSFET N-channel 30 V 30 A SO-8 STripFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

STS30N3LLH6 技术参数

STS-30-DIS 功能描述:Temperature Sensor Digital, Local 0°C ~ 65°C 16 b 8-TDFN (2.5x2.5) 制造商:sensirion ag 系列:STS3 包装:剪切带（CT）零件状态:在售传感器类型:数字，本地检测温度 - 本地:0°C ~ 65°C 检测温度 - 远程:- 输出类型:I2C 电压 - 电源:2.4 V ~ 5.5 V 分辨率:16 b 特性:- 精度 - 最高（最低）:±0.3°C 测试条件:25°C 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-TDFN（2.5x2.5）标准包装:1 STS2DPFS20V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:315pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS2DPF80 功能描述:MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:739pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS2DNF30L 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:121pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS26N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:26A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4040pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS4DNFS30 STS4DNFS30L STS4DPF20L STS4DPF30L STS4DPFS30L STS4NF100 STS5DNF20V STS5DNF60L STS5DP3LLH6 STS5DPF20L STS5N15F3 STS5N15F4 STS5NF60L STS5P3LLH6 STS5PF20V STS5PF30L STS6NF20V STS6P3LLH6