STS110003L360500G918

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STS110003L360500G918
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
20
Cantherm
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

STS110003L360500G918
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

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功能描述
PTC Thermistor 1k Ohm Radial
制造商
cantherm
系列
STS1
包装
*
零件状态
在售
25°C 时欧姆阻值
1k
电阻容差
±3%
工作温度
-40°C ~ 170°C
功率 - 最大值
10mW
安装类型
自由悬挂
封装/外壳
径向
供应商器件封装
*
标准包装
50

STS110003L360500G918 技术参数

STS110003CHIP 功能描述:PTC Thermistor 1k Ohm Axial 制造商:cantherm 系列:STS1 包装:* 零件状态:在售 25°C 时欧姆阻值:1k 电阻容差:±3% 工作温度:-40°C ~ 170°C 功率 - 最大值:10mW 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:* 标准包装:500 STS10PF30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS10P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3525pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS10P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3350pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS10N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:475pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS1300RA STS131PC STS131RA STS13N3LLH5 STS1400PC STS141RA STS14N3LLH5 STS15N4LLF3 STS15N4LLF5 STS17NF3LL STS17NH3LL STS19N3LLH6 STS1DN45K3 STS1DNC45 STS1DNF20 STS1HNK60 STS1NK60Z STS1TXQTR