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STS5NH3LL

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    STS5NH3LL

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  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人:张育豪 13360528695

    电话:0755-23607487

    地址:深圳市福田区华富路1006号 航都大厦11楼一层

    资质:营业执照

  • 19495

  • ST/意法

  • SOP8

  • 22+

  • -
  • 原厂原装现货

  • STS5NH3LL
    STS5NH3LL

    STS5NH3LL

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • ST

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  • 最新批号

  • -
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STS5NH3LL 技术参数
  • STS5NF60L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1250pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS5N15F4 功能描述:MOSFET N-CH 150V 5A 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):63 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2710pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS5N15F3 功能描述:MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):57 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1300pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS5DPF20L 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1350pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS5DNF60L 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS7P4LLF6 STS7PF30L STS8C5H30L STS8DN3LLH5 STS8DN6LF6AG STS8DNF3LL STS8DNH3LL STS8N6LF6AG STS9D8NH3LL STS9NF30L STS9NF3LL STS9NH3LL STS9P2UH7 STS9P3LLH6 STSA1805 STSA1805-AP STSA230RA STSA230RA1
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