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STS6409

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  • STS6409
    STS6409

    STS6409

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01

  • 69880

  • TY/台灣半導体

  • SOT23-6

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • STS6409
    STS6409

    STS6409

  • 深圳成德兴科技有限公司
    深圳成德兴科技有限公司

    联系人:马庆勇

    电话:0755-82567711

    地址:深南中路佳和电子大厦(华强三店)三楼3C072室

    资质:营业执照

  • 14520

  • SAMHOP

  • SOT23-6

  • 22+

  • -
  • 原装现货 可含税 样品可拆

  • STS6409
    STS6409

    STS6409

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 31852

  • SAMHOP/三合微科

  • TSOP-6

  • 2022+

  • -
  • 专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价...

  • STS6409
    STS6409

    STS6409

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • SAMHOP

  • SOT-23-6

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • STS6409
    STS6409

    STS6409

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • slgo

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • 一级代理.原装特价现货!

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STS6409 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STS6409 技术参数
  • STS5PF30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1350pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS5PF20V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 2.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):412pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS5P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? H6 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):56 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):639pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS5NF60L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1250pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS5N15F4 功能描述:MOSFET N-CH 150V 5A 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):63 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2710pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS8DN3LLH5 STS8DN6LF6AG STS8DNF3LL STS8DNH3LL STS8N6LF6AG STS9D8NH3LL STS9NF30L STS9NF3LL STS9NH3LL STS9P2UH7 STS9P3LLH6 STSA1805 STSA1805-AP STSA230RA STSA230RA1 STSA851 STSA851-AP STSB43AB22APDTG4
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