STSM101ACDT

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STSM101ACDT
深圳市华芯盛世科技有限公司
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电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
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STM
SOP8
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STSM101ACDT 技术参数

STSJ60NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.7 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1810pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘供应商器件封装:8-SOIC-EP 标准包装:1 STSJ50NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:965pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 STSJ100NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A PWRSOIC-8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4450pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘供应商器件封装:8-SOIC-EP 标准包装:1 STSC1 功能描述:HIGH ACCURACY DIGITAL TEMP SENSO 制造商:sensirion ag 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效传感器类型:数字，本地检测温度 - 本地:-40°C ~ 125°C 检测温度 - 远程:- 输出类型:I2C 电压 - 电源:1.62 V ~ 1.98 V 分辨率:- 特性:- 精度 - 最高（最低）:±0.3°C 测试条件:-40°C ~ 125°C 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:4-VFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:4-DFN-EP（2x2）标准包装:1 STSB43AB23PDT 功能描述:1394 接口集成电路 OHCI 1.1 1394a Link Layer Controller RoHS:否制造商:Texas Instruments 类型:Link Layer Controller 工作电源电压: 封装 / 箱体:LQFP 封装:Tray STSR2PCD-TR ST-SS STT0001 STT0019 STT-101 STT-102 STT-103 STT-104 STT-105 STT-106 STT-107 STT-108 STT-109 STT-110 STT-111 STT-112 STT13005 STT13005D