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STU7NM60N-H

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    STU7NM60N-H

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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STU7NM60N-H 技术参数
  • STU7NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):900 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):363pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU7NF25 功能描述:MOSFET N-CH 250V IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):420 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):500pF @ 25V 功率 - 最大值:72W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU7N80K5 功能描述:MOSFET N CH 800V 6A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):360pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU7N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.15 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):270pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:IPAK(TO-251) 标准包装:75 STU7N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):950 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):271pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU95N4F3 STU9HN65M2 STU9N60M2 STU9N65M2 STUDIO-30630-EVB STUDIO-30670-EVB STULED524 STULED623 STULED625 STULED656 STULPI01ATBR STULPI01BTBR STUPSD-SK/RAIS STUSA-170 STUSB02EQR STUSB03EDEMOBO STUSB03EQR STUSB06EHTR
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