配单专家企业名单

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供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STW75N60M6-4
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
5010
ST/意法
TO247-4
23+
-
原厂原装正品现货

STW75N60M6
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
ST(意法半导体)
TO-247-3
刚到货
-
代理可含税开票

STW75N60M6
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
5599
STMicroelectronics
SMD
22+
-
授权分销商，可追溯原厂可含税

STW75N60M6
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王女士
电话：13969210552
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
4500
STMICROELECTRONICS
NA
近两年
-
查货可到京北通宇商城www.jbchip...

STW75N60M6
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
10000
ST
DIP/SOP
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

STW75N60M6
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4027
ST
TO247
2231+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

STW75N60M6
深圳市诚达吉电子有限公司
深圳市诚达吉电子有限公司
联系人：莫小姐
电话：13480615819
地址：广东深圳
资质：营业执照
2000
SMD
22+
-
全部原装现货

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STW75N60M6 技术参数

STW75N20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3260pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:600 STW72N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，MDmesh? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:66A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:121nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5508pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW70N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 68A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:68A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 34A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:118nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5200pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW70N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:66A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:121nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5508pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW70N10F4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 65A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:85nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5800pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW80NE06-10 STW80NF06 STW80NF55-08 STW81100AT-1 STW81100ATR-1 STW81101AT STW81101ATR STW81102AT STW81103AT STW81200T STW81200TR STW82100BTR STW82101B STW82101BTR STW82102B STW82102BTR STW82103B STW82103BTR

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