配单专家企业名单

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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STW7NB80
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
TO-247
2024+
-
国产品牌，可替代原装

STW7NB80
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
3P
0122+
-
假一罚十，百分百原装正品

STW7NB80
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1310
STMICROEL
TO-247
01+
-
全新原装现货

STW7NB80
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4810
ST
TO-3P
13+
-
原装正品现货库存

STW7NB80
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
1344
ST
TO-3P
2024+
-
一级代理商原装现货

STW7NB80
深圳市芯睿晨科技有限公司
深圳市芯睿晨科技有限公司
联系人：李小姐/肖先生
电话：0755-8257149682571956
地址：赛格广场69楼6900
资质：营业执照
13985
STM
原厂封装
21+
-
★假一赔十!绝对原装现货市场最低价！★

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功能描述
MOSFET RO 512-FQA7N80
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

STW7NB80 技术参数

STW7N95K3 功能描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.35 欧姆 @ 3.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1031pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW7N90K5 功能描述:N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA Vgs（最大值）:±30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247-3 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 STW7N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1050V（1.05kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW78N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 69A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:69A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:32 毫欧 @ 34.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:203nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9000pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 STW77N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 69A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:69A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:38 毫欧 @ 34.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:200nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9800pF @ 100V 功率 - 最大值:400W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW81102AT STW81103AT STW81200T STW81200TR STW82100BTR STW82101B STW82101BTR STW82102B STW82102BTR STW82103B STW82103BTR STW88N65M5 STW88N65M5-4 STW8B12C-AABL STW8C2SA-J19K24-EA STW8C2SA-J19K24-GA STW8C2SA-J19K24-HA STW8C2SA-J19K26-CA

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