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SI1865DL-T1-E3

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功能描述
MOSFET 1.8-8V 1.2A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

SI1865DL-T1-E3 技术参数

SI1865DDL-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:IC LOAD SW LVL SHIFT SC70-6 SI-16001-F 功能描述:1 Port RJ45 Magjack Connector Through Hole 10/100 Base-T, AutoMDIX 制造商:stewart connector 系列:MagJack? ST SI-10000 包装:散装零件状态:有效连接器类型:RJ45 端口数:1 排数:1 应用:10/100 Base-T，AutoMDIX 安装类型:通孔朝向:垂直端接:焊接板上高度:0.670"（17.02mm） LED 颜色:不包含 LED 每插孔芯数:4 屏蔽:屏蔽特性:板锁凸片方向:用户可选触头材料:铜合金触头镀层:金触头镀层厚度:50μin（1.27μm）屏蔽材料:铜合金外壳材料:热塑塑胶工作温度:- 标准包装:80 SI1153-AA9X-GMR 功能描述:Optical Sensor Ambient, Gesture 525nm I2C 10-LLGA 制造商:silicon labs 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:环境，手势波长:525nm 接近探测:是输出类型:I2C 电压 - 电源:1.62 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:10-LLGA 供应商器件封装:10-LGA（4.90x2.85）标准包装:1 SI1153-AA09-GMR 功能描述:Optical Sensor Ambient, Gesture 525nm I2C 10-WFQFN 制造商:silicon labs 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:环境，手势波长:525nm 接近探测:是输出类型:I2C 电压 - 电源:1.62 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:10-WFQFN 供应商器件封装:10-DFN（2x2）标准包装:1 SI1153-AA00-GMR 功能描述:Optical Sensor Ambient, Gesture 525nm I2C 10-WFQFN 制造商:silicon labs 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:环境，手势波长:525nm 接近探测:是输出类型:I2C 电压 - 电源:1.62 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:10-WFQFN 供应商器件封装:10-DFN（2x2）标准包装:1 SI1902DL-T1-GE3 SI1903DL-T1-E3 SI1903DL-T1-GE3 SI1905BDH-T1-E3 SI1905DL-T1-E3 SI1912EDH-T1-E3 SI1913DH-T1-E3 SI1913EDH-T1-E3 SI1917EDH-T1-E3 SI1922EDH-T1-GE3 SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-GE3 SI1958DH-T1-E3 SI1965DH-T1-E3 SI1965DH-T1-GE3 SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-GE3 SI1970DH-T1-E3