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SI1967DH-T1-GE3

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功能描述
MOSFET 20V 1.3A DUAL P-CH MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

SI1967DH-T1-GE3 技术参数

SI1869DH-T1-GE3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI1869DH-T1-E3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI1867DL-T1-GE3 功能描述:IC LOAD SW LEVEL SHIFTER SC-70-6 RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 电源分配开关系列:- 特色产品:XRP252 Switches 标准包装:1 系列:- 类型:高端开关输出数:2 Rds（开）:140 毫欧内部开关:是电流限制:1.15A 输入电压:1.75 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:10-WFDFN 裸露焊盘供应商设备封装:10-TDFN（3x3）包装:Digi-Reel® 其它名称:1016-1691-6 SI1867DL-T1-E3 功能描述:MOSFET 1.8-8.0V w/Lvl-Shift RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI1865DL-T1-GE3 功能描述:IC LOAD SW LVL SHIFT 1.2A SC70-6 RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 电源分配开关系列:- 标准包装:80 系列:- 类型:USB 开关输出数:2 Rds（开）:135 毫欧内部开关:是电流限制:1.5A 输入电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘供应商设备封装:8-MSOP-PowerPad 包装:管件配用:TPS2066-1EVM-296-ND - TPS2066-1EVM-296 SI2113-A10-GM SI2113-A10-GMR SI2115-A10-GM SI2115-A10-GMR SI2124-A20-GM SI2124-A20-GMR SI2124-A-EVB SI2127-A30-GM SI2127-A30-GMR SI2128-A20-GM SI2128-A20-GMR SI2136-B30-GM SI2136-B30-GMR SI2137-A30-GM SI2137-A30-GMR SI2138-A20-GM SI2138-A20-GMR SI2141-A10-GM