STGP7NC60H

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封装
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价格
说明
操作

STGP7NC60HD
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：朱先生
电话：13168731828
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋五楼515
资质：营业执照
5000
ST/意法
TO-220AB
21+
-
全新进口原装

STGP7NC60H
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO 220 AB NON ISOL
ST
17+
-
原装正品。优势供应

STGP7NC60HD
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
ST
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

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功能描述
IGBT 晶体管 V-FAST POWERMESH
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作温度
封装 / 箱体
TO-247
封装
Tube

STGP7NC60H 技术参数

STGP7NB60KD 功能描述:IGBT 600V 14A 80W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):56A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.8V @ 15V，7A 功率 - 最大值:80W 开关能量:140μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32.7nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/50ns 测试条件:480V，7A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:50ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 STGP7H60DF 功能描述:IGBT 600V 14A 88W TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):28A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.95V @ 15V，7A 功率 - 最大值:88W 开关能量:99μJ（开），100μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/160ns 测试条件:400V，7A，47 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:136ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STGP6NC60HD 功能描述:IGBT 600V 15A 56W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 开关能量:20μJ（开），68μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 测试条件:390V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:21ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STGP6M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Through Hole TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包装:管件零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，6A 功率 - 最大值:88W 开关能量:40μJ（开），136μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 测试条件:400V，6A，22 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:140ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:2,000 STGP5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:88W 开关能量:56μJ（开），78.5μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:134.5ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 ST-GTC-16S1-100-(A572) ST-GTC-16S1-3500 ST-GTC-16S2-100-(A572) ST-GTC-16S2-3500 STGW10M65DF2 STGW15H120DF2 STGW15H120F2 STGW15M120DF3 STGW15S120DF3 STGW19NC60H STGW19NC60HD STGW19NC60W STGW19NC60WD STGW20H60DF STGW20H65FB STGW20IH125DF STGW20NB60KD STGW20NC60V