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参数资料
| 型号： | S07J |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 0.7 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-219AB |
| 封装： | PLASTIC, SMF, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | S07J |
www.vishay.com
2
Document Number 85733
Rev. 1.8, 24-Mar-04
VISHAY
S07B / 07D / 07G / 07J / 07M
Vishay Semiconductors
Thermal Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
2) Mounted on epoxy substrate with 3 x 3 mm CU pads (≥ 40 m thick)
Electrical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
3) Pulse test: 300 pulse width, 1 % duty cycle
Typical Characteristics (Tamb = 25 °C unless otherwise specified)
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Thermal resistance junction to
ambient air2)
RθJA
180
K/W
Operating junction and storage
temperature range
TJ, TSTG
- 55 to + 150
°C
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Maximum instantaneous
forward voltage
1.0 A3)
VF
1.1
V
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage
TA = 25 °C
IR
10
A
TA = 125 °C
IR
50
A
Reverse recovery time
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A
trr
1.8
s
Typical capacitance at 4 V, MHz
Cj
4pF
Fig. 1 Forward Current Derating Curve
0
0.6
0.8
1.2
1.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
verage
Forward
Current
(A)
Ambient Temperature (jC)
0.4
0.2
Resistive or Inductive Load
3.0 x 3.0mm
40
m
Thick Copper Pad Areas
17375
Fig. 2 Typical Instantaneous Forward Characteristics
100
1000
600
700
800
900
1000
1100
Instantaneous
Forward
Current
(mA)
Instantaneous Forward Voltage (mV)
TJ = 150
°C
TJ =25
°C
TJ = 100
°C
17376
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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