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参数资料
| 型号： | S10VB60-4000 |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 10 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | SQIP-4 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | S10VB60-4000 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SM5818-T/R | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SMBJ12CA.TF | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ22CA.TF | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SA20C | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
| SMBJ4755 | 43 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S10VB60-5000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=600 IFSM=200 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S10VB60-7000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=600 IFSM=200 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S10V-S07K130GS2 | 制造商:Siemens 功能描述: |
| S10VT60 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S10VT60-4000 | 功能描述:桥式整流器 Bridge Diode RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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