型号: | S10VTA80 |
元件分类: | 桥式整流 |
英文描述: | 3 PHASE, 10 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
封装: | SVTA, 5 PIN |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | S10VTA80 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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S10WB60 | 3.2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S15VB60 | 4.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S15VTA80 | 3 PHASE, 15 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S16-4150E3 | 0.4 A, 8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
S16-4150E3TR | 0.4 A, 8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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S10VTA80-5000 | 功能描述:桥式整流器 Bridge Diode RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S10WB20 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S10WB20-4000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=170 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S10WB20-5000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=170 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S10WB20-7000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=170 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |