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参数资料
| 型号： | S15VB60 |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 4.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | S15VB, SQIP-4 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 388K |
| 代理商： | S15VB60 |
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。
＊ 50Hz sine wave is used for measurements.
＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
Typical は統計的な実力を表しています。
＊ Semiconductor products generally have characterristic variation.
Typical is a statistical average of the device’s ability.
（J534-1）
39
SQIP Bridge
S15VB60
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S15VTA80 | 3 PHASE, 15 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S16-4150E3 | 0.4 A, 8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| S16-4150E3TR | 0.4 A, 8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| S16C05-8-G | 300 W, BIDIRECTIONAL, 16 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| S16L60 | 16 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S15VB60-4000 | 功能描述:整流器 VRM=600 IFSM=200 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| S15VB80 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:High Current Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier |
| S15VT60 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S15VT60-4000 | 功能描述:桥式整流器 Bridge Diode RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S15VT80 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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