| 型号： | S1B-E3/51T |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 79K |
| 描述： | DIODE 1A 100V SMA |
| 标准包装： | 2,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 1A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 1.8µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 100V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | DO-214AC（SMA） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | S1B-E3/51TGI S1B/1 S1B/1/T S1B/1GI S1B/1GI-ND S1B/51 S1B/51GI-ND S1BGI S1BGI-ND |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 395-060-542-804 | CARD EDGE 60POS DL .100X.200 BLK |
| 345-072-527-804 | CARDEDGE 72POS DUAL .100 GREEN |
| F910J107MCC | CAP TANT 100UF 6.3V 20% 2312 |
| 591D336X9020R2T15H | CAP TANT 33UF 20V 10% 2824 |
| 345-072-527-802 | CARDEDGE 72POS DUAL .100 GREEN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S1B-E3-5AT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount Glass Passivated Rectifier |
| S1BHE3/2GT | 功能描述:整流器 1.0 Amp 100 Volt 40A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| S1BHE3/5AT | 功能描述:整流器 1.0 Amp 100 Volt 40A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| S1BHE3/61T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 100 Volt 40A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| S1BHE3_A/H | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DIODE, Diode Type:Standard Recovery, Diode Configuration:Single, Repetitive Reve |