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参数资料
| 型号： | S1JB |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | S1JB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S3DB | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SDR75015UMUBTX | 75 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
| SDR75U20TX | 75 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5 |
| SSR05C100GLTXV | 5 A, 100 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE |
| SMLTVS15K64CA | 15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, TO-276AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S1JB-13 | 功能描述:整流器 600V 1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| S1JB-13-F | 功能描述:整流器 600V 1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| S1J-E3/11T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 600 Volt 40A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| S1J-E3/13T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 600 Volt 40A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| S1J-E3/1T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 600 Volt 40A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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