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参数资料
| 型号： | S1M |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 169K |
| 描述： | DIODE GEN PURPOSE 1000V 1A SMA |
| 产品目录绘图： | SOD-123; SMB; SMA; SMC |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 1A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 1.8µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 1000V |
| 电容@ Vr, F： | 12pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | SMA |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | S1MFSDKR |
S1A - S1M — General Purpose Rectifiers
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
S1A - S1M Rev. 1.1.2 2
Absolute Maximum Ratings(1)
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA
= 25°C unless otherwise noted.
Note:
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device maybe impaired.
Thermal Characteristics
Notes:
2. Device mounted on FR-4 PCB, land pattern size: 25 mm2 (5 x 5 mm).
3. Device mounted on FR-4 PCB, land pattern size: 4.6375 mm2 (2.65 x 1.75 mm).
Electrical Characteristics
Values are at
TA
= 25°C unless otherwise noted
.
Symbol Parameter
Value
Units
1A 1B 1D 1G 1J 1K 1M
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 50 100 200 400 600 800 1000 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current at
TA
= 100
°C
1.0 A
IFSM
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
30 A
TSTG
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature -55 to +150
°C
Symbol Parameter Max. Units
PD
Power Dissipation 1.4 W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient(2)
85
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient(3)
170
°C/W
Ψjl
Junction-Lead thermal characteristics(3)
25
°C/W
Symbol Parameter Test Condition Typ. Max. Units
VF
Forward Voltage IF = 1.0 A 1.1 V
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 0.5 A,
IR
= 1.0 A,
Irr
= 0.25 A
1.8
μs
IR
Reverse Current at Rated VR
TA = 25°C1.0μA
TA =125°C50μA
CTJunction Capacitance
VR = 4.0 V,
f = 1.0MHz
6.6 pF
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| S1M/13T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 1000 Volt 30A IFSM @ 8.3ms RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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