型号: | S1N3016B |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 6.8 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-13 |
封装: | HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-202AA, 2 PIN |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 215K |
代理商: | S1N3016B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SF12-A | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
SF164A-B | 8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SF162-B | 8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SM4994 | 330 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
SBL100 | 700 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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S1NB05 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS |
S1NB05-S1NB100 | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Glass passivated chip junctions |
S1NB10 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS |
S1NB100 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS |
S1NB20 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |