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参数资料
| 型号： | S1NB20 |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, MDI, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | S1NB20 |
MECHANICAL DATA
FEATURES
Data Sheet No. BRDI-101-1C
MECHANICAL SPECIFICATION
Glass Passivated for high reliability/temperature performance
PRV Ratings from 50 to 1000 Volts
Surge overload rating to 30 Amps peak
Reliable low cost molded plastic construction
Ideal for printed circuit board applications
Case: Molded plastic, U/L Flammability Rating 94V-0
Terminals: Rectangular pins
Soldering: Per MIL-STD 202 Method 208 guaranteed
Polarity: Marked on case
Mounting Position: Any
E3
MAXIMUM RATINGS& ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive loads, derate current by 20%.
Average Forward Rectified Current@ T = 40 C
A
o
PARAMETER (TEST CONDITIONS)
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Peak Recurrent Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Series Number
IO
VRMS
VRRM
VRM
SYMBOL
S1NB S1NB S1NB S1NB S1NB S1NB S1NB
RATINGS
UNITS
VOLTS
50
100
200
400
1000
35
70
140
280
700
1
Peak Forward Surge Current. Single 60Hz Half-Sine Wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC Method).
Maximum Forward Voltage (Per Diode) at1 Amp DC
VOLTS
AMPS
VFM
IFSM
50
1.05
Maximum Average DC Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
IRM
°C/W
mA
A
@ T = 25 C
A
o
@ T = 125 C
A
o
5.0
0.5
40
15
(1) Bridge mounted on PC Board with 0.5" sq. (13mm sq.) copper pads
Operating and Storage Temperature Range
T T
J,
STG
°C
-55 to +150
3.0101s1nb
NOTES:
600
800
50
100
200
400
1000
600
800
420
560
05
10
20
40
60
80
100
D
2.8
0.09
0.11
0.258
6.55
7.06
0.278
D1
D2
E
0.146
0.116
0.136
0.032*
M
15 Max
o
15 Max
o
0.8*
* Chamfer- Typical
A
B
BI
B2
C
0.266
0.027
0.015
0.207
0.246
0.017
0.005
0.187
6.767
0.69
0.381
5.26
6.25
0.43
0.127
4.75
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
SYM
2.27
3.7
2.9
3.45
ACTUAL SIZE OF
MDI PACKAGE
S1NB
-
+
60 46
A
B1
M
C
60
46
-
+
S1NB
E
B2
D
D1
D2
B
SERIES S1NB05- S1NB100
+
_
Tel.: (310) 767-1052
Fax: (310) 767-7958
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
Gardena, CA 90248
U.S.A
18020 Hobart Blvd., Unit B
Typical Thermal Resistance
R
θJA
R
θJL
Junction to Ambient (Note 1)
Junction to Lead (Note 1)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SR105 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| S2J | 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SA15 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
| SA7.5C | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
| SMBJ8.0 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S1NB20-4062 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1NB20-4101 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1NB20-4102 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1NB20-7062 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1NB20-7101 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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