型号: | S1NB60 |
元件分类: | 桥式整流 |
英文描述: | 1 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
封装: | PLASTIC, MDI, 4 PIN |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 70K |
代理商: | S1NB60 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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S1PB | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
S1PD-E3 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
S1PG-E3 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
S1PG-HE3 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
S1PJ-HE3 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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S1NB60-4062 | 功能描述:桥式整流器 VRM=600 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S1NB60-4101 | 功能描述:桥式整流器 RO 627-S1NB60-7101 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S1NB60-4102 | 功能描述:桥式整流器 VRM=600 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S1NB60-7062 | 功能描述:桥式整流器 VRM=600 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S1NB60-7101 | 功能描述:桥式整流器 VRM=600 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |