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参数资料
| 型号： | S1PM-E3/84A |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMP, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | S1PM-E3/84A |
New Product
S1PB thru S1PM
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88917
Revision: 26-May-08
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3
Figure 3. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
Figure 4. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 5. Typical Reverse Leakage Characteristics
Peak
For
w
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
Number of Cycles at 50 Hz
1
10
100
10
20
30
0
5
15
25
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
Instantaneous Forward Voltage (V)
0.1
10
1
100
Instantaneo
u
s
For
w
ard
C
u
rrent
(A)
0.01
1.8
2.0
1.0
1.6
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
20
40
60
80
100
0.1
1
10
100
10
30
50
70
90
0.01
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Figure 6. Typical Junction Capacitance
Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
0.1
10
1
100
1
10
100
0.01
10
1
100
1
10
100
0.1
1000
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SRM10BTR | 60 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SRM12TX | 60 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SS5819-1 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SMV1231-079LF | S BAND, 1.575 pF, 15 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| SMAJ440 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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