型号: | S1VBA60-4004 |
元件分类: | 桥式整流 |
英文描述: | 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 313K |
代理商: | S1VBA60-4004 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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S1VBA20-4001 | 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S1YG | 1 A, 1600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-215AA |
S1YGP | 1 A, 1600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-215AA |
S1ZZG | 1 A, 2000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-215AA |
S1ZG | 1 A, 1800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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S1VBA60-4101 | 功能描述:桥式整流器 VRM=600 IFSM=50 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S1VBA60-7000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=600 IFSM=50 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S1VBA60-7101 | 功能描述:桥式整流器 VRM=600 IFSM=50 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
S1VM02600A | 制造商:Lite-On Semiconductor Corporation 功能描述:1.5A, 600V, SCR |
S1VM02-600A | 制造商:Lite-On Semiconductor Corporation 功能描述:1.5A, 600V, SCR |