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参数资料
| 型号： | S1Y |
| 厂商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 2000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | S1Y |
S1A ... S1Y
S1A ... S1Y
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflchenmontage
Version 2011-05-31
Dimensions - Mae [mm]
Nominal current – Nennstrom
1 A
Plastic case
Kunststoffgehuse
~ SMA
~ DO-214AC
Weight approx. – Gewicht ca.
0.07 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings and Characteristics 1)
Grenz- und Kennwerte 1)
Type
Typ
(Repetitive) Peak reverse voltage
(Periodische-)Spitzensperrspannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 100°C
VRRM [V] / VRSM [V]
VF [V] @ IF = 1A
IR [A] @ VRRM
S1A
50
< 1.1
< 5
< 50
S1B
100
< 1.1
< 5
< 50
S1D
200
< 1.1
< 5
< 50
S1G
400
< 1.1
< 5
< 50
S1J
600
< 1.1
< 5
< 50
S1K
800
< 1.1
< 5
< 50
S1M
1000
< 1.1
< 5
< 50
S1T
1300
< 1.1
< 5
< 50
S1W
1600
< 1.1
< 5
< 50
S1X
1800
< 1.1
< 5
< 50
S1Y
2000
< 1.1
< 5
< 50
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C
IFAV
1 A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
6 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stostrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
30/32 A
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
4.5 A2s
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapzitt
VR = 4 V
Cj
typ. 12 pF
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
Thermal resistance junction-ambient Wrmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
Thermal resistance junction-terminal Wrmewiderstand Sperrschicht-Anschluss
RthA
RthT
< 70 K/W 2)
< 30 K/W
1
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
2
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss
Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
Type
Typ
0.15
1± 0.3
4.5± 0.3
1.
5
2.
1
±
0.
1
2.
2
±
0.
2
5± 0.2
2.
7
0.
2
±
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S2305 | 300 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| S23LC24 | 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| S277N | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| S277G | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| S2A-7 | 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S1YB20 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1YB20-4062 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1YB20-4072 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1YB20-4101 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S1YB20-4102 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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