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参数资料
| 型号： | S2006DS3 |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 6 A, 200 V, SCR, TO-252 |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | S2006DS3 |
Sensitive SCRs
Data Sheets
http://www.teccor.com
E5 - 10
2004 Teccor Electronics
+1 972-580-7777
Thyristor Product Catalog
Figure E5.17 Power Dissipation (Typical) versus RMS On-state Current
Figure E5.18 Normalized DC Latching Current versus Case Temperature
Figure E5.19 Simple Test Circuit for Gate Trigger Voltage and
Current Measurement
Note: V1 — 0 V to 10 V dc meter
VGT — 0 V to 1 V dc meter
IG — 0 mA to 1 mA dc milliammeter
R1 — 1 k potentiometer
To measure gate trigger voltage and current, raise gate voltage
(VGT) until meter reading V1 drops from 6 V to 1 V. Gate trigger
voltage is the reading on VGT just prior to V1 dropping. Gate trig-
ger current IGT can be computed from the relationship
where IG is reading (in amperes) on meter just prior to V1 drop-
ping.
Note: IGT may turn out to be a negative quantity (trigger current
flows out from gate lead). If negative current occurs, IGT value is
not a valid reading. Remove 1 k resistor and use IG as the more
correct IGT value. This will occur on 12 A gate products.
02468
10
0
2
4
6
8
10
12
RMS On-state Current [IT(RMS)] – Amps
CURRENT WAVEFORM: Half Sine Wave
LOAD: Resistive or Inductive
CONDUCTION ANGLE: 180
Average
On-state
Power
Dissipation
[P
D(AV)
]–
Watts
6 A to 10 A
TO-220, TO-202,
TO-251, and TO-252
-65
-15
+25
+65
+110 +125
-40
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
Case Temperature (TC) – C
Ratio
of
I L
(
T
C
=
25
C)
See General Notes for specific device
operating temperature range.
V1
6 V
DC
+
–
100
D.U.T.
Reset
Normally-closed
Pushbutton
1 k
(1%)
I
G
V
GT
100
I
GT
R1
IN4001
I
GT
I
G
V
GT
1000
------------- Am ps
–
=
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S2006VS2 | 6 A, 200 V, SCR, TO-251 |
| S401-00BX | BRASS, TAB TERMINAL |
| S402-00BX | BRASS, TAB TERMINAL |
| S401-0106 | BRASS, TIN LEAD (157) FINISH, TAB TERMINAL |
| S401-0100 | BRASS, TAB TERMINAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S2006DS3RP | 功能描述:SCR 6A 200V Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| S2006DS3TP | 功能描述:SCR 6A 200V Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| S2006DTP | 功能描述:SCR 6A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| S2006F1 | 功能描述:SCR 6A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| S2006F1-TYPE41 | 功能描述:200V 6 AMP SCR TO-202 PKG TYPE41 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> SCR - 单个 系列:- 其它有关文件:X00619 View All Specifications 产品目录绘图:SCR TO-92 Package 标准包装:1 系列:- SCR 型:灵敏栅极 电压 - 断路:600V 电压 - 栅极触发器 (Vgt)（最大）:800mV 电压 - 导通状态 (Vtm)（最大）:1.35V 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大）:500mA 电流 - 导通状态 (It (RMS))（最大）:800mA 电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）:200µA 电流 - 维持(Ih):5mA 电流 - 断开状态（最大）:1µA 电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm):9A，10A 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 供应商设备封装:TO-92-3 包装:剪切带 (CT) 产品目录页面:1554 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-9067-1 |
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