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参数资料
| 型号： | S29GL256N10TFIV10 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | MirrorBit Flash Family |
| 中文描述： | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56 |
| 封装： | MO-142BEC, LEAD FREE, TSOP-56 |
| 文件页数： | 6/110页 |
| 文件大小： | 2624K |
| 代理商： | S29GL256N10TFIV10 |
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May 13, 2004 27631A4
S29GLxxxN MirrorBitTM Flash Family
103
Ad va nc e
Inform ati o n
AC Characteristics
tGHEL
tWS
OE#
CE#
WE#
RESET#
tDS
Data
tAH
Addresses
tDH
tCP
DQ7#
DOUT
tWC
tAS
tCPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
tRH
tWHWH1 or 2
RY/BY#
tWH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
tBUSY
Notes:
1. Figure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.
2. PA = program address, SA = sector address, PD = program data.
3. DQ7# is the complement of the data written to the device. DOUT is the data written to the device.
4. Waveforms are for the word mode.
Figure 20. Alternate CE# Controlled Write (Erase/Program)
Operation Timings
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL256N80FFIV10 | MirrorBit Flash Family |
| S29AL008D55TFNR11 | SSR OCMOS FET 350MA NO 8-DIP |
| S29AL008D70TFNR11 | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| S29AL008D90TFNR11 | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| S29AL008D55BFNR11 | IC, SOLID STATE RELAY, 2 FORM A, 100V, 350MA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S29GL256N11FAI010 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
| S29GL256N11FAIIH2 | 制造商:Spansion 功能描述:S29GL256N11FAIIH2 - Trays |
| S29GL256N11FFA022 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL256N11FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL256N11FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256Mbit 32M/16M x 8bit/16bit 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
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