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参数资料
| 型号： | S29GL256N80FFIV10 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | MirrorBit Flash Family |
| 中文描述： | MirrorBit闪存系列 |
| 文件页数： | 3/110页 |
| 文件大小： | 2624K |
| 代理商： | S29GL256N80FFIV10 |
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100
S29GLxxxN MirrorBitTM Flash Family
27631A4 May 13, 2004
Adva nce
Inform at i o n
AC Characteristics
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations–S29GL512N Only
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “AC Characteristics” section for more information.
3. For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
4. Effective write buffer specification is based upon a 16-word/32-byte write buffer operation.
5. Unless otherwise indicated, AC specifications for 90 ns and 100 ns speed options are tested with VIO = VCC = 3 V.
AC specifications for 100 ns and 110 ns speed options are tested with VIO = 1.8 V and VCC = 3.0 V.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std.
Description
90
100
110
Unit
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
90
100
110
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tELAX
tAH
Address Hold Time
Min
45
ns
tDVEH
tDS
Data Setup Time
Min
45
ns
tEHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tGHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tWLEL
tWS
WE# Setup Time
Min
0
ns
tEHWH
tWH
WE# Hold Time
Min
0
ns
tELEH
tCP
CE# Pulse Width
Min
45
ns
tEHEL
tCPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
tWHWH1 tWHWH1
Write Buffer Program Operation (Notes 2,
3)
Typ
240
s
Effective Write Buffer
Program Operation (Notes
2, 4)
Per Word
Typ
15
s
Effective Accelerated Write
Buffer Program Operation
(Notes 2, 4)
Per Word
Typ
13.5
s
Program Operation (Note 2)
Word
Typ
60
s
Accelerated Programming
Operation (Note 2)
Word
Typ
54
s
tWHWH2 tWHWH2 Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1.0
sec
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PDF描述 |
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